三星第代金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

IT之家7月3日消息，三星第代金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术根据韩媒TheElec报道，三星在其第9代V-NAND的“金属布线”（metalwiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU等），可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从LamResearch公司引进了五台Mo沉积机，此外还计划明年再引进20台设备。

除三星电子外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。和现有NAND工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenumprecursor）是固态，必须在600℃的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年5月报道，已经启动了首批第九代V-NAND闪存量产，位密度比第八代V-NAND提高了约50%。

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。